Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FS01MR08A8MA2CHPSA1
FS01MR08A8MA2CHPSA1

FS01MR08A8MA2CHPSA1 Infineon Technologies

infineon-fs01mr08a8ma2c-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: FS01MR08A8MA2CHPSA1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 6 N-Channel (Phase Leg)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 750V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 620A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43000pF @ 470V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.69mOhm @ 620A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1500nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.55V @ 200mA
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+76592.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FS01MR08A8MA2CHPSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FS01MR08A8MA2CHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 620 A, 750 V, 0.00169 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 620A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.55V, MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 30Pin(s), Produktpalette: HybridPACK G2 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00169ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FS01MR08A8MA2CHPSA1 за ціною від 85763.88 грн до 95304.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FS01MR08A8MA2CHPSA1 FS01MR08A8MA2CHPSA1 Infineon Technologies infineon_fs01mr08a8ma2c_datasheet_en.pdf Discrete Semiconductor Modules HybridPACK Drive G2 module with SiC MOSFET
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+85763.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS01MR08A8MA2CHPSA1 FS01MR08A8MA2CHPSA1 INFINEON 4603892.pdf Description: INFINEON - FS01MR08A8MA2CHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 620 A, 750 V, 0.00169 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 620A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.55V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 30Pin(s)
Produktpalette: HybridPACK G2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00169ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+95304.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS01MR08A8MA2CHPSA1 infineon_fs01mr08a8ma2c_datasheet_en.pdf
FS01MR08A8MA2CHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules HybridPACK Drive G2 module with SiC MOSFET
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+85763.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS01MR08A8MA2CHPSA1 4603892.pdf
FS01MR08A8MA2CHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS01MR08A8MA2CHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 620 A, 750 V, 0.00169 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 620A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.55V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 30Pin(s)
Produktpalette: HybridPACK G2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00169ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+95304.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.