FS01MR08A8MA2CHPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: FS01MR08A8MA2CHPSA1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 6 N-Channel (Phase Leg)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 750V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 620A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43000pF @ 470V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.69mOhm @ 620A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1500nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.55V @ 200mA
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS01MR08A8MA2CHPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS01MR08A8MA2CHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 620 A, 750 V, 0.00169 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 620A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.55V, MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 30Pin(s), Produktpalette: HybridPACK G2 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00169ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FS01MR08A8MA2CHPSA1 за ціною від 84617.82 грн до 94030.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FS01MR08A8MA2CHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules HybridPACK Drive G2 module with SiC MOSFET |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||
 |
FS01MR08A8MA2CHPSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FS01MR08A8MA2CHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 620 A, 750 V, 0.00169 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 620A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.55V MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 30Pin(s) Produktpalette: HybridPACK G2 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00169ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|