FS01MR12A8MA2BHPSA1 Infineon Technologies
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 139315.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS01MR12A8MA2BHPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS01MR12A8MA2BHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 500 A, 1.2 kV, 0.00187 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.55V, MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 30Pin(s), Produktpalette: HybridPACK G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00187ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FS01MR12A8MA2BHPSA1 за ціною від 147205.23 грн до 149986.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FS01MR12A8MA2BHPSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - FS01MR12A8MA2BHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 500 A, 1.2 kV, 0.00187 ohm, ModultariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.55V MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 30Pin(s) Produktpalette: HybridPACK G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00187ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FS01MR12A8MA2BHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: FS01MR12A8MA2BHPSA1 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 6 N-Channel Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 750V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.87mOhm @ 18V, 500A Vgs(th) (Max) @ Id: 4.55V @ 240mA |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FS01MR12A8MA2BHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 500A |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
FS01MR12A8MA2BHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 500A |
товару немає в наявності |