FS01MR12A8MA2BHPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: FS01MR12A8MA2BHPSA1
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 6 N-Channel
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.55V @ 240mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.87mOhm @ 18V, 500A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 750V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS01MR12A8MA2BHPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS01MR12A8MA2BHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 500 A, 1.2 kV, 1870 µohm, Modul, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.55V, MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack, Verlustleistung: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 30Pin(s), Produktpalette: HybridPACK G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1870µohm.
Інші пропозиції FS01MR12A8MA2BHPSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FS01MR12A8MA2BHPSA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - FS01MR12A8MA2BHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 500 A, 1.2 kV, 1870 µohm, ModultariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.55V MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack Verlustleistung: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 30Pin(s) Produktpalette: HybridPACK G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1870µohm |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
FS01MR12A8MA2BHPSA1 | Infineon Technologies |
MOSFET Modules HYBRID PACK DRIVE G2 SIC |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FS01MR12A8MA2BHPSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS01MR12A8MA2BHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 500 A, 1.2 kV, 1870 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.55V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 30Pin(s)
Produktpalette: HybridPACK G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1870µohm
Description: INFINEON - FS01MR12A8MA2BHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 500 A, 1.2 kV, 1870 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.55V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 30Pin(s)
Produktpalette: HybridPACK G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1870µohm
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FS01MR12A8MA2BHPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET Modules HYBRID PACK DRIVE G2 SIC
MOSFET Modules HYBRID PACK DRIVE G2 SIC
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)