FS02MR12A8MA2BBPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 6N-CH 1200V 390A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 6 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34500pF @ 750V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 390A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.19µC @ 18V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.55V @ 160mA
Description: MOSFET 6N-CH 1200V 390A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 6 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34500pF @ 750V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 390A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.19µC @ 18V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.55V @ 160mA
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 104394.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS02MR12A8MA2BBPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS02MR12A8MA2BBPSA1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 390 A, 1.2 kV, 0.0019 ohm, 18 V, 4.55 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 390A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.55V, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Produktpalette: HybridPACK Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції FS02MR12A8MA2BBPSA1 за ціною від 116002.33 грн до 116002.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FS02MR12A8MA2BBPSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FS02MR12A8MA2BBPSA1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 390 A, 1.2 kV, 0.0019 ohm, 18 V, 4.55 V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 390A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.55V euEccn: NLR Verlustleistung: - Produktpalette: HybridPACK Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| FS02MR12A8MA2BBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies | HYBRID PACK DRIVE G2 SIC |
товару немає в наявності |
||||||
 |
FS02MR12A8MA2BBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 IGBTs HYBRID PACK DRIVE G2 SIC |
товару немає в наявності |