FS03MR12A6MA1LBBPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 6N-CH 1200V AG-HYBRIDD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42500pF @ 600V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 400A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1320nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 240mA
Supplier Device Package: AG-HYBRIDD-2
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 151853.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS03MR12A6MA1LBBPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS03MR12A6MA1LBBPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, 0.00275 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: HybridPACK CoolSiC, productTraceability: No, Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00275ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FS03MR12A6MA1LBBPSA1 за ціною від 179994.46 грн до 179994.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FS03MR12A6MA1LBBPSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FS03MR12A6MA1LBBPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, 0.00275 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: HybridPACK CoolSiC productTraceability: No Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00275ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| FS03MR12A6MA1LBBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
FS03MR12A6MA1LBBPSA1 |
товару немає в наявності |
||||||
| FS03MR12A6MA1LBBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules HYBRID PACK DRIVE SIC |
товару немає в наявності |