FS05MR12A6MA1BBPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 1200V 200A AG-HYBRIDD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A
Supplier Device Package: AG-HYBRIDD-2
Part Status: Active
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Технічний опис FS05MR12A6MA1BBPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS05MR12A6MA1BBPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, Module, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: HybridPACK CoolSiC, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FS05MR12A6MA1BBPSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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FS05MR12A6MA1BBPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FS05MR12A6MA1BBPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, Module tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Anzahl der Pins: - Produktpalette: HybridPACK CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FS05MR12A6MA1BBPSA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS05MR12A6MA1BBPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, Module
tariffCode: 85412900
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rohsCompliant: YES
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MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
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Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: HybridPACK CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - FS05MR12A6MA1BBPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
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Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: HybridPACK CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)