Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FS1000R08A7P3BHPSA1
FS1000R08A7P3BHPSA1

FS1000R08A7P3BHPSA1 Infineon Technologies

infineon_fs1000r08a7p3b_datasheet_en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET Modules HybridPACK Drive G2 module
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+27652.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FS1000R08A7P3BHPSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FS1000R08A7P3BHPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 600 A, 1.08 V, 750 W, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT EDT3, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.08V, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Verlustleistung: 750W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Dauerkollektorstrom: 600A, Produktpalette: HybridPACK G2 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V, IGBT-Konfiguration: Sechserpack, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції FS1000R08A7P3BHPSA1 за ціною від 26705.05 грн до 34612.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FS1000R08A7P3BHPSA1 FS1000R08A7P3BHPSA1 INFINEON 4590045.pdf Description: INFINEON - FS1000R08A7P3BHPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 600 A, 1.08 V, 750 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT EDT3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.08V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Verlustleistung: 750W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: HybridPACK G2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+33313.70 грн
5+29149.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS1000R08A7P3BHPSA1 FS1000R08A7P3BHPSA1 Infineon Technologies infineonfs1000r08a7p3bdatasheeten.pdf Trans IGBT Module N-CH 750V 600A 750W Tray
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+34567.85 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS1000R08A7P3BHPSA1 FS1000R08A7P3BHPSA1 Infineon Technologies infineonfs1000r08a7p3bdatasheeten.pdf Trans IGBT Module N-CH 750V 600A 750W Tray
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+34612.44 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS1000R08A7P3BHPSA1 Infineon Technologies infineon-fs1000r08a7p3b-datasheet-en.pdf Description: IGBT MOD 750V 600A AGHDG2XT-7611
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 60800 pF @ 50 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 750 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Supplier Device Package: AG-HDG2XT-7611
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.21V @ 15V, 600A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+26705.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS1000R08A7P3BHPSA1 4590045.pdf
FS1000R08A7P3BHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS1000R08A7P3BHPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 600 A, 1.08 V, 750 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT EDT3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.08V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Verlustleistung: 750W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: HybridPACK G2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+33313.70 грн
5+29149.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS1000R08A7P3BHPSA1 infineonfs1000r08a7p3bdatasheeten.pdf
FS1000R08A7P3BHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 750V 600A 750W Tray
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+34567.85 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS1000R08A7P3BHPSA1 infineonfs1000r08a7p3bdatasheeten.pdf
FS1000R08A7P3BHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 750V 600A 750W Tray
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+34612.44 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS1000R08A7P3BHPSA1 infineon-fs1000r08a7p3b-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 750V 600A AGHDG2XT-7611
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 60800 pF @ 50 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 750 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Supplier Device Package: AG-HDG2XT-7611
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.21V @ 15V, 600A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+26705.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.