FS1000R08A7P3BHPSA1

FS1000R08A7P3BHPSA1 Infineon Technologies


infineon_fs1000r08a7p3b_datasheet_en.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFET Modules HybridPACK Drive G2 module
на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+31438.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FS1000R08A7P3BHPSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 750V 600A AGHDG2XT-7611, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.21V @ 15V, 600A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: AG-HDG2XT-7611, Current - Collector (Ic) (Max): 600 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V, Power - Max: 750 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 60800 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FS1000R08A7P3BHPSA1 за ціною від 28149.21 грн до 28149.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FS1000R08A7P3BHPSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-fs1000r08a7p3b-datasheet-en.pdf Description: IGBT MOD 750V 600A AGHDG2XT-7611
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.21V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-HDG2XT-7611
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Power - Max: 750 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 60800 pF @ 50 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+28149.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.