FS100R07N3E4_B11 Infineon Technologies

Description: IGBT, 100A, 650V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 335 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 25 V
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 7561.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS100R07N3E4_B11 Infineon Technologies
Description: IGBT, 100A, 650V, N-CHANNEL, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 100A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 335 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FS100R07N3E4_B11
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
FS100R07N3E4_B11 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |