FS100R07N3E4B11BOSA1 Infineon Technologies
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 10164.26 грн |
| 25+ | 9961.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS100R07N3E4B11BOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 650V 100A 335W, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 100A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 335 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FS100R07N3E4B11BOSA1 за ціною від 8302.93 грн до 8302.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FS100R07N3E4B11BOSA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
 Description: ROCHESTER ELECTRONICS - FS100R07N3E4B11BOSA1 - FS100R07 - IGBT MODULEtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 92 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
FS100R07N3E4B11BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 650V 100A 335000mW 35-Pin ECONO3-4 Tray |
товару немає в наявності |
|||||
| FS100R07N3E4B11BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 650V 100A 335W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 100A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 335 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |