Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FS100R07PE4BOSA1
FS100R07PE4BOSA1

FS100R07PE4BOSA1 Infineon Technologies

Infineon-FS100R07PE4-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304333227b5e013359531e9908c6 Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 650V 100A 335W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 335 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 25 V
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+8984.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FS100R07PE4BOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 650V 100A 335W, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 100A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 335 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 25 V.

Інші пропозиції FS100R07PE4BOSA1 за ціною від 14320.94 грн до 14612.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FS100R07PE4BOSA1 FS100R07PE4BOSA1 Виробник : Infineon Technologies 1062ds_fs100r07pe4_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095af601e2fil.pdf Trans IGBT Module N-CH 650V 100A 335W 20-Pin ECONO4-1 Tray
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+14612.98 грн
25+14320.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R07PE4BOSA1 FS100R07PE4BOSA1 Виробник : Infineon Technologies 1062ds_fs100r07pe4_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095af601e2fil.pdf Trans IGBT Module N-CH 650V 100A 335W 20-Pin ECONO4-1 Tray
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+14612.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R07PE4BOSA1 FS100R07PE4BOSA1 Виробник : Infineon Technologies 1062ds_fs100r07pe4_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095af601e2fil.pdf Trans IGBT Module N-CH 650V 100A 335W 20-Pin ECONO4-1 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R07PE4BOSA1 FS100R07PE4BOSA1 Виробник : Infineon Technologies 1062ds_fs100r07pe4_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095af601e2fil.pdf Trans IGBT Module N-CH 650V 100A 335000mW 20-Pin ECONO4-1 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R07PE4BOSA1 FS100R07PE4BOSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FS100R07PE4-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304333227b5e013359531e9908c6 Description: IGBT MOD 650V 100A 335W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 335 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.