FS100R12KS4BOSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 51390.41 грн |
| 25+ | 50362.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS100R12KS4BOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 130A 660W MOD, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 130 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 660 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.8 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FS100R12KS4BOSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| FS100R12KS4BOSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 130A 660W MOD Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 130 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 660 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.8 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | |
 |
FS100R12KS4BOSA1 | Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 130A 660W 39-Pin Tray |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| FS100R12KS4BOSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 130A 660W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 660 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.8 nF @ 25 V
Description: IGBT MOD 1200V 130A 660W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 660 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.8 nF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FS100R12KS4BOSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 130A 660W 39-Pin Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 130A 660W 39-Pin Tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.