FS100R12PT4BOSA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS100R12PT4BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.75 V, 500 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 500W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPACK 4
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - FS100R12PT4BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.75 V, 500 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 500W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPACK 4
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 9617.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS100R12PT4BOSA1 INFINEON
Description: INFINEON - FS100R12PT4BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.75 V, 500 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: Y-EX, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, Dauer-Kollektorstrom: 100A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: 500W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EconoPACK 4, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 100A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції FS100R12PT4BOSA1 за ціною від 13989.9 грн до 15066.04 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FS100R12PT4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 135A 500W 20-Pin ECONO4-1 Tray |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
FS100R12PT4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 135A 500W 20-Pin ECONO4-1 Tray |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
FS100R12PT4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 135A 500000mW Automotive 20-Pin ECONO4-1 Tray |
товар відсутній |
||||||
FS100R12PT4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 135A 500W 20-Pin ECONO4-1 Tray |
товар відсутній |
||||||
FS100R12PT4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 135A 500W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 100A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 135 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 500 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.3 nF @ 25 V |
товар відсутній |