FS100R12W2T7B11BOMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5575.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS100R12W2T7B11BOMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS100R12W2T7B11BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -, Dauer-Kollektorstrom: -, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): -, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EasyPIM, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: -, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції FS100R12W2T7B11BOMA1 за ціною від 5225.50 грн до 7339.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FS100R12W2T7B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 80A 20W 33-Pin Tray |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FS100R12W2T7B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 80A 20W 33-Pin Tray |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FS100R12W2T7B11BOMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FS100R12W2T7B11BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: - Dauer-Kollektorstrom: - usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): - Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EasyPIM Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: - Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FS100R12W2T7B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules 1200 V, 100 A sixpack IGBT module |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FS100R12W2T7B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 80A 20W 33-Pin Tray |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
FS100R12W2T7B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 70A Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
FS100R12W2T7B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 80A 20W 33-Pin Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| FS100R12W2T7B11BOMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Pulsed collector current: 200A Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: EasyPACK™ 2B Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Case: AG-EASY2B-2 Max. off-state voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
FS100R12W2T7B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 100A 20MW EASY Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 175°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.50V @ 15V, 100A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY2B-1 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 9 µA |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| FS100R12W2T7B11BOMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Pulsed collector current: 200A Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: EasyPACK™ 2B Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Case: AG-EASY2B-2 Max. off-state voltage: 1.2kV |
товару немає в наявності |