Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FS100R12W2T7B11BOMA1
FS100R12W2T7B11BOMA1

FS100R12W2T7B11BOMA1 Infineon Technologies

infineonfs100r12w2t7b11datasheetv0100en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 20W 33-Pin Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+6648.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FS100R12W2T7B11BOMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FS100R12W2T7B11BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -, Dauer-Kollektorstrom: -, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): -, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EasyPIM, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: -, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції FS100R12W2T7B11BOMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FS100R12W2T7B11BOMA1 FS100R12W2T7B11BOMA1 Infineon Technologies Infineon_FS100R12W2T7_B11_DataSheet_v01_00_EN.pdf IGBT Modules 1200 V, 100 A sixpack IGBT module
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12W2T7B11BOMA1 FS100R12W2T7B11BOMA1 INFINEON 2721739.pdf Description: INFINEON - FS100R12W2T7B11BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
Dauer-Kollektorstrom: -
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): -
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EasyPIM
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12W2T7B11BOMA1 Infineon_FS100R12W2T7_B11_DataSheet_v01_00_EN.pdf
FS100R12W2T7B11BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules 1200 V, 100 A sixpack IGBT module
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12W2T7B11BOMA1 2721739.pdf
FS100R12W2T7B11BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS100R12W2T7B11BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
Dauer-Kollektorstrom: -
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): -
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EasyPIM
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.