
FS10R12VT3BOMA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MODULE 1200V 16A 64W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 10A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 64 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 700 pF @ 25 V
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
16+ | 1463.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS10R12VT3BOMA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 16A 64W, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 10A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Current - Collector (Ic) (Max): 16 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 64 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 700 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FS10R12VT3BOMA1 за ціною від 1589.50 грн до 1946.06 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FS10R12VT3BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
FS10R12VT3BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
FS10R12VT3BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
FS10R12VT3BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
FS10R12VT3BOMA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
![]() |
FS10R12VT3BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
FS10R12VT3BOMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor/transistor; IGBT three-phase bridge; Urmax: 1.2kV Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 10A Pulsed collector current: 20A Power dissipation: 64W Electrical mounting: Press-in PCB Technology: EasyPACK™ Topology: IGBT three-phase bridge Type of semiconductor module: IGBT Case: AG-EASY750-1 кількість в упаковці: 40 шт |
товару немає в наявності |
||||||||
![]() |
FS10R12VT3BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 10A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 64 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 700 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||
FS10R12VT3BOMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor/transistor; IGBT three-phase bridge; Urmax: 1.2kV Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 10A Pulsed collector current: 20A Power dissipation: 64W Electrical mounting: Press-in PCB Technology: EasyPACK™ Topology: IGBT three-phase bridge Type of semiconductor module: IGBT Case: AG-EASY750-1 |
товару немає в наявності |