FS10R12VT3BOMA1

FS10R12VT3BOMA1 Infineon Technologies


Infineon-FS10R12VT3-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b431225b53a0 Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 16A 64W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 10A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 64 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 700 pF @ 25 V
на замовлення 118 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+1463.10 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FS10R12VT3BOMA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MODULE 1200V 16A 64W, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 10A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Current - Collector (Ic) (Max): 16 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 64 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 700 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FS10R12VT3BOMA1 за ціною від 1589.50 грн до 1946.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FS10R12VT3BOMA1 FS10R12VT3BOMA1 Виробник : Infineon Technologies 737db_fs10r12vt3.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fileiddb.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 16A 64W 11-Pin EASY750-1 Tray
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+1946.06 грн
25+1907.42 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FS10R12VT3BOMA1 FS10R12VT3BOMA1 Виробник : Infineon Technologies 737db_fs10r12vt3.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fileiddb.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 16A 64W 11-Pin EASY750-1 Tray
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+1946.06 грн
25+1907.42 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FS10R12VT3BOMA1 FS10R12VT3BOMA1 Виробник : Infineon Technologies 737db_fs10r12vt3.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fileiddb.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 16A 64W 11-Pin EASY750-1 Tray
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+1946.06 грн
25+1907.42 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FS10R12VT3BOMA1 FS10R12VT3BOMA1 Виробник : Infineon Technologies 737db_fs10r12vt3.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fileiddb.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 16A 64W 11-Pin EASY750-1 Tray
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+1946.06 грн
25+1907.42 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FS10R12VT3BOMA1 Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS INFNS28522-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - FS10R12VT3BOMA1 - FS10R12 - IGBT MODULE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+1589.50 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FS10R12VT3BOMA1 FS10R12VT3BOMA1 Виробник : Infineon Technologies 737db_fs10r12vt3.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fileiddb.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 16A 64000000mW 11-Pin EASY750-1 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS10R12VT3BOMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89D8C676DF9BDB3D7&compId=FS10R12VT3.pdf?ci_sign=23a7050ec5881090dc6b45a7b7948f24badf5c4e Category: IGBT modules
Description: Transistor/transistor; IGBT three-phase bridge; Urmax: 1.2kV
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 20A
Power dissipation: 64W
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: EasyPACK™
Topology: IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-EASY750-1
кількість в упаковці: 40 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS10R12VT3BOMA1 FS10R12VT3BOMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FS10R12VT3-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b431225b53a0 Description: IGBT MODULE 1200V 16A 64W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 10A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 64 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS10R12VT3BOMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89D8C676DF9BDB3D7&compId=FS10R12VT3.pdf?ci_sign=23a7050ec5881090dc6b45a7b7948f24badf5c4e Category: IGBT modules
Description: Transistor/transistor; IGBT three-phase bridge; Urmax: 1.2kV
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 20A
Power dissipation: 64W
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: EasyPACK™
Topology: IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-EASY750-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.