FS1150R08A8P3LBCHPSA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS1150R08A8P3LBCHPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 600 A, 1.22 V, 1 kW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: IGBT EDT3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.22V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1kW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: HybridPACK G2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS1150R08A8P3LBCHPSA1 INFINEON
Description: INFINEON - FS1150R08A8P3LBCHPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 600 A, 1.22 V, 1 kW, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: Y-EX, IGBT-Technologie: IGBT EDT3, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.22V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1kW, Bauform - Transistor: Modul, Dauerkollektorstrom: 600A, Produktpalette: HybridPACK G2 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V, IGBT-Konfiguration: Sechserpack, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FS1150R08A8P3LBCHPSA1 за ціною від 30912.59 грн до 31622.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FS1150R08A8P3LBCHPSA1 | Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules HYBRID PACK DRIVE G2 SI |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||
 |
FS1150R08A8P3LBCHPSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 750V 1.15KA 1KW Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.21V @ 15V, 600A NTC Thermistor: No Current - Collector (Ic) (Max): 1.15 kA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V Power - Max: 1 kW Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 60800 pF @ 50 V |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FS1150R08A8P3LBCHPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules HYBRID PACK DRIVE G2 SI
Discrete Semiconductor Modules HYBRID PACK DRIVE G2 SI
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 30912.59 грн |
| FS1150R08A8P3LBCHPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 750V 1.15KA 1KW
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.21V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: No
Current - Collector (Ic) (Max): 1.15 kA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Power - Max: 1 kW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 60800 pF @ 50 V
Description: IGBT MODULE 750V 1.15KA 1KW
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.21V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: No
Current - Collector (Ic) (Max): 1.15 kA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Power - Max: 1 kW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 60800 pF @ 50 V
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 31622.79 грн |