FS1150R08A8P3LBCHPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 750V 1.15KA 1KW
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.21V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: No
Current - Collector (Ic) (Max): 1.15 kA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Power - Max: 1 kW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 60800 pF @ 50 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS1150R08A8P3LBCHPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS1150R08A8P3LBCHPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 600 A, 1.22 V, 1 kW, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, IGBT-Technologie: IGBT EDT3, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.22V, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Verlustleistung: 1kW, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Dauerkollektorstrom: 600A, Produktpalette: HybridPACK G2 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V, IGBT-Konfiguration: Sechserpack, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції FS1150R08A8P3LBCHPSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FS1150R08A8P3LBCHPSA1 | Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules HYBRID PACK DRIVE G2 SI |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
FS1150R08A8P3LBCHPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FS1150R08A8P3LBCHPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 600 A, 1.22 V, 1 kW, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX IGBT-Technologie: IGBT EDT3 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.22V IGBT-Anschluss: Einpressmontage Verlustleistung: 1kW SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 600A Produktpalette: HybridPACK G2 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V IGBT-Konfiguration: Sechserpack productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FS1150R08A8P3LBCHPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules HYBRID PACK DRIVE G2 SI
Discrete Semiconductor Modules HYBRID PACK DRIVE G2 SI
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FS1150R08A8P3LBCHPSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS1150R08A8P3LBCHPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 600 A, 1.22 V, 1 kW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: IGBT EDT3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.22V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Verlustleistung: 1kW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: HybridPACK G2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - FS1150R08A8P3LBCHPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 600 A, 1.22 V, 1 kW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: IGBT EDT3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.22V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Verlustleistung: 1kW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: HybridPACK G2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)