FS13MR12W2M1HB70BPSA1 Infineon Technologies
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 13220.05 грн |
| 10+ | 12570.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS13MR12W2M1HB70BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS13MR12W2M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 62.5 A, 1.2 kV, 0.0117 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 62.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 44Pin(s), Produktpalette: EasyPACK 1B CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FS13MR12W2M1HB70BPSA1 за ціною від 11394.68 грн до 16369.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FS13MR12W2M1HB70BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET 6N-CH 1200V 62.5APackaging: Tray Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6050pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 62.5A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 28mA Part Status: Active |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FS13MR12W2M1HB70BPSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FS13MR12W2M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 62.5 A, 1.2 kV, 0.0117 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 62.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: EasyPACK 1B CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|