FS13MR12W2M1HB70BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 6N-CH 1200V 62.5A
Packaging: Tray
Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6050pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 62.5A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 28mA
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 15436.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS13MR12W2M1HB70BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS13MR12W2M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 62.5 A, 1.2 kV, 0.0117 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 62.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 44Pin(s), Produktpalette: EasyPACK 1B CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції FS13MR12W2M1HB70BPSA1 за ціною від 14795.61 грн до 19569.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FS13MR12W2M1HB70BPSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FS13MR12W2M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 62.5 A, 1.2 kV, 0.0117 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 62.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: EasyPACK 1B CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FS13MR12W2M1HB70BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET sixpack module 1200 V |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FS13MR12W2M1HB70BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
LOW POWER EASY |
товару немає в наявності |