Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FS13MR12W2M1HB70BPSA1
FS13MR12W2M1HB70BPSA1

FS13MR12W2M1HB70BPSA1 Infineon Technologies

Infineon_FS13MR12W2M1H_B70_DataSheet_v00_30_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET sixpack module 1200 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+13363.96 грн
10+12707.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FS13MR12W2M1HB70BPSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET 6N-CH 1200V 62.5A, Packaging: Tray, Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62.5A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6050pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 62.5A, 18V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 18V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 28mA, Part Status: Active.

Інші пропозиції FS13MR12W2M1HB70BPSA1 за ціною від 11518.73 грн до 13540.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FS13MR12W2M1HB70BPSA1 FS13MR12W2M1HB70BPSA1 Infineon Technologies FS13MR12W2M1H_B70_Rev0.30_3-2-23.pdf Description: MOSFET 6N-CH 1200V 62.5A
Packaging: Tray
Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6050pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 62.5A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 28mA
Part Status: Active
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13540.05 грн
15+11518.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS13MR12W2M1HB70BPSA1 FS13MR12W2M1H_B70_Rev0.30_3-2-23.pdf
FS13MR12W2M1HB70BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 6N-CH 1200V 62.5A
Packaging: Tray
Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6050pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 62.5A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 28mA
Part Status: Active
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+13540.05 грн
15+11518.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.