FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 12724.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 - MOSFET-Transistor, SixPack, n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.0117 ohm, 18 V, 5.15 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 за ціною від 13078.26 грн до 20326.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A Tray |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A Tray |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A Tray |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 - MOSFET-Transistor, SixPack, n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.0117 ohm, 18 V, 5.15 V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A Tray |
на замовлення 207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET sixpack module 1200 V |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|