FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 9436.54 грн |
| 5+ | 9342.25 грн |
| 10+ | 8984.96 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 - MOSFET-Transistor, SixPack, n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.0117 ohm, 18 V, 5.15 V, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, Verlustleistung: 20mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm.
Інші пропозиції FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 за ціною від 9436.54 грн до 18307.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 38-Pin Tray |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 38-Pin Tray |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 38-Pin Tray |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 38-Pin Tray |
на замовлення 207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 - MOSFET-Transistor, SixPack, n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.0117 ohm, 18 V, 5.15 V tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V Verlustleistung: 20mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 | Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET sixpack module 1200 V |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 38-Pin Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 38-Pin Tray
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 9436.54 грн |
| FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 38-Pin Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 38-Pin Tray
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 15922.75 грн |
| FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 38-Pin Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 38-Pin Tray
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 15922.75 грн |
| FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 38-Pin Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 38-Pin Tray
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 18307.63 грн |
| 25+ | 17758.30 грн |
| 100+ | 17209.06 грн |
| FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 - MOSFET-Transistor, SixPack, n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.0117 ohm, 18 V, 5.15 V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
Description: INFINEON - FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 - MOSFET-Transistor, SixPack, n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.0117 ohm, 18 V, 5.15 V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET sixpack module 1200 V
Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET sixpack module 1200 V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)