FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 9373.49 грн |
| 5+ | 9279.83 грн |
| 10+ | 8924.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 - MOSFET-Transistor, SixPack, n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.0117 ohm, 18 V, 5.15 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 за ціною від 9373.49 грн до 18185.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 38-Pin Tray |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 38-Pin Tray |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 38-Pin Tray |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 38-Pin Tray |
на замовлення 207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 - MOSFET-Transistor, SixPack, n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.0117 ohm, 18 V, 5.15 V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 | Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET sixpack module 1200 V |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 38-Pin Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 38-Pin Tray
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 9373.49 грн |
| FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 38-Pin Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 38-Pin Tray
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 15816.36 грн |
| FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 38-Pin Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 38-Pin Tray
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 15816.36 грн |
| FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 38-Pin Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 38-Pin Tray
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 18185.31 грн |
| 25+ | 17639.64 грн |
| 100+ | 17094.07 грн |
| FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 - MOSFET-Transistor, SixPack, n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.0117 ohm, 18 V, 5.15 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 - MOSFET-Transistor, SixPack, n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.0117 ohm, 18 V, 5.15 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FS13MR12W2M1HPB11BPSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET sixpack module 1200 V
Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET sixpack module 1200 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)