FS150R07PE4BOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 650V 150A 430W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.3 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 430 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Part Status: Last Time Buy
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 150A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS150R07PE4BOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 650V 150A 430W, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.3 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Power - Max: 430 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Part Status: Last Time Buy, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: Module, NTC Thermistor: Yes, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 150A, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Configuration: Three Phase Inverter, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції FS150R07PE4BOSA1 за ціною від 20367.19 грн до 20367.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FS150R07PE4BOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 650V 150A 430W 20-Pin ECONO4-1 Tray |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| FS150R07PE4BOSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - FS150R07PE4BOSA1 - FS150R07 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSIStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. |
| FS150R07PE4BOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 650V 150A 430W 20-Pin ECONO4-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 650V 150A 430W 20-Pin ECONO4-1 Tray
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 20367.19 грн |
| FS150R07PE4BOSA1 |
![]() |
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - FS150R07PE4BOSA1 - FS150R07 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSIS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - FS150R07PE4BOSA1 - FS150R07 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSIS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)



