Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FS150R07PE4BOSA1
FS150R07PE4BOSA1

FS150R07PE4BOSA1 Infineon Technologies

Infineon-FS150R07PE4-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304333227b5e0133595b4a2108d3
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 650V 150A 430W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 430 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.3 nF @ 25 V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+12903.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FS150R07PE4BOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 650V 150A 430W, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 150A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 430 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.3 nF @ 25 V.

Інші пропозиції FS150R07PE4BOSA1 за ціною від 20458.12 грн до 20458.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FS150R07PE4BOSA1 FS150R07PE4BOSA1 Infineon Technologies 129ds_fs150r07pe4_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fil.pdf Trans IGBT Module N-CH 650V 150A 430W 20-Pin ECONO4-1 Tray
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+20458.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS150R07PE4BOSA1 ROCHESTER ELECTRONICS INFNS28526-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - FS150R07PE4BOSA1 - FS150R07 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSIS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS150R07PE4BOSA1 129ds_fs150r07pe4_2_0.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fil.pdf
FS150R07PE4BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 650V 150A 430W 20-Pin ECONO4-1 Tray
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+20458.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS150R07PE4BOSA1 INFNS28526-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - FS150R07PE4BOSA1 - FS150R07 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSIS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.