FS150R12KT4B11BOSA1 Infineon Technologies
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2369.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS150R12KT4B11BOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 150A 750W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 750 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.35 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FS150R12KT4B11BOSA1 за ціною від 8631.88 грн до 17898.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FS150R12KT4B11BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: IGBT MOD 1200V 150A 750WPackaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 750 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.35 nF @ 25 V |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
FS150R12KT4B11BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 150A 750W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 750 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.35 nF @ 25 V |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
FS150R12KT4B11BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 750W 35-Pin ECONO3-4 Tray |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FS150R12KT4B11BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 750000mW 35-Pin ECONO3-4 Tray |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
FS150R12KT4B11BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 750W 35-Pin ECONO3-4 Tray |
товару немає в наявності |
|||||
 |
FS150R12KT4B11BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules LOW POWER ECONO |
товару немає в наявності |