FS150R12KT4BOSA1 Infineon Technologies
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4599.24 грн |
| 5+ | 4597.73 грн |
| 10+ | 4347.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS150R12KT4BOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS150R12KT4BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 150 A, 1.75 V, 175 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, Dauer-Kollektorstrom: 150A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: 175W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 175W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EconoPACK 3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 150A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FS150R12KT4BOSA1 за ціною від 7397.76 грн до 14687.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FS150R12KT4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 750W 35-Pin ECONO3-4 Tray |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FS150R12KT4BOSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FS150R12KT4BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 150 A, 1.75 V, 175 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V Dauer-Kollektorstrom: 150A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 175W euEccn: NLR Verlustleistung: 175W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EconoPACK 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 150A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FS150R12KT4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 150A 750W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 750 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FS150R12KT4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 750W 35-Pin ECONO3-4 Tray |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FS150R12KT4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 750000mW 35-Pin ECONO3-4 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
FS150R12KT4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 750W 35-Pin ECONO3-4 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||
| FS150R12KT4BOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Pulsed collector current: 300A Power dissipation: 750W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: EconoPACK™ 3 Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Case: AG-ECONO3-4 Max. off-state voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||
 |
FS150R12KT4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules LOW POWER ECONO |
товару немає в наявності |
|||||||
| FS150R12KT4BOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Pulsed collector current: 300A Power dissipation: 750W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: EconoPACK™ 3 Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Case: AG-ECONO3-4 Max. off-state voltage: 1.2kV |
товару немає в наявності |