FS150R12PT4 Infineon Technologies
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 13674.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS150R12PT4 Infineon Technologies
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: AG-ECONO4-1-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 200 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 680 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.35 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FS150R12PT4 за ціною від 10267.41 грн до 12287.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FS150R12PT4 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOPackaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONO4-1-1 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 680 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.35 nF @ 25 V |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| FS150R12PT4 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules IGBT 1200V 150A |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|