FS150R12PT4BOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 200A 680W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 680 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.35 nF @ 25 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 9985.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS150R12PT4BOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS150R12PT4BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 150 A, 1.75 V, 680 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, Dauer-Kollektorstrom: 150A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: 680W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 680W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EconoPACK 4, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 150A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FS150R12PT4BOSA1 за ціною від 10391.24 грн до 13299.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FS150R12PT4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 680W 20-Pin ECONO4-1 Tray |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FS150R12PT4BOSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FS150R12PT4BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 150 A, 1.75 V, 680 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85413000 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V Dauer-Kollektorstrom: 150A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 680W euEccn: NLR Verlustleistung: 680W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EconoPACK 4 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 150A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FS150R12PT4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 680W 20-Pin ECONO4-1 Tray |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FS150R12PT4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 680W 20-Pin ECONO4-1 Tray |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||
|
|
FS150R12PT4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 680W 20-Pin ECONO4-1 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
FS150R12PT4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 680000mW Automotive 20-Pin ECONO4-1 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
FS150R12PT4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 200A 680W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 680 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.35 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |