Технічний опис FS150R12PT4BOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS150R12PT4BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 150 A, 1.75 V, 680 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: 680W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 680W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 150A, Produktpalette: EconoPACK 4, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 150A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FS150R12PT4BOSA1 за ціною від 6326.73 грн до 13851.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FS150R12PT4BOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 680W 20-Pin ECONO4-1 Tray |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
FS150R12PT4BOSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 200A 680WPackaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 680 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.35 nF @ 25 V |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
FS150R12PT4BOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 680W 20-Pin ECONO4-1 Tray |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
FS150R12PT4BOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FS150R12PT4BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 150 A, 1.75 V, 680 W, 150 °C, ModultariffCode: 85413000 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 680W euEccn: NLR Verlustleistung: 680W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 150A Produktpalette: EconoPACK 4 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 150A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
FS150R12PT4BOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 680W 20-Pin ECONO4-1 Tray |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FS150R12PT4BOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 680W 20-Pin ECONO4-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 680W 20-Pin ECONO4-1 Tray
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 6326.73 грн |
| FS150R12PT4BOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 200A 680W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 680 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.35 nF @ 25 V
Description: IGBT MOD 1200V 200A 680W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 680 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.35 nF @ 25 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 9681.67 грн |
| FS150R12PT4BOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 680W 20-Pin ECONO4-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 680W 20-Pin ECONO4-1 Tray
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 13851.10 грн |
| FS150R12PT4BOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS150R12PT4BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 150 A, 1.75 V, 680 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 680W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 150A
Produktpalette: EconoPACK 4
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 150A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - FS150R12PT4BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 150 A, 1.75 V, 680 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 680W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 150A
Produktpalette: EconoPACK 4
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 150A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FS150R12PT4BOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 680W 20-Pin ECONO4-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 680W 20-Pin ECONO4-1 Tray
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





