Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FS17MR12W2M1HB11ABPSA2
FS17MR12W2M1HB11ABPSA2

FS17MR12W2M1HB11ABPSA2 Infineon Technologies


448_FS17MR12W2M1H_B11_A.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: FS17MR12W2M1HB11ABPSA2
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 6 N-Channel (Three Phase Inverter)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 50A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 20mA
на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7162.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FS17MR12W2M1HB11ABPSA2 Infineon Technologies

Description: FS17MR12W2M1HB11ABPSA2, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 6 N-Channel (Three Phase Inverter), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 50A, 18V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149nC @ 18V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 20mA.

Інші пропозиції FS17MR12W2M1HB11ABPSA2 за ціною від 7385.37 грн до 11270.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FS17MR12W2M1HB11ABPSA2 FS17MR12W2M1HB11ABPSA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_06-19-2025_DS_FS17MR12W2M1H_B11_A_v0.20_en.pdf MOSFET Modules EasyPACK 2B module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11270.06 грн
10+9380.33 грн
105+7385.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.