FS200R12N3T7BPSA1 Infineon Technologies
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 8696.70 грн |
| 10+ | 7848.42 грн |
| 100+ | 6546.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS200R12N3T7BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS200R12N3T7BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 200 A, 1.55 V, 175 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V, Dauer-Kollektorstrom: 200A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EconoPACK 3 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Sechserpack, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 200A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FS200R12N3T7BPSA1 за ціною від 7815.37 грн до 22147.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FS200R12N3T7BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 35-Pin Tray |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FS200R12N3T7BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: LOW POWER ECONO AG-ECONO3-4 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 200A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONO3B IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 16 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 40.3 nF @ 25 V |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FS200R12N3T7BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 35-Pin Tray |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FS200R12N3T7BPSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FS200R12N3T7BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 200 A, 1.55 V, 175 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V Dauer-Kollektorstrom: 200A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EconoPACK 3 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Sechserpack productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 200A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| FS200R12N3T7BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005337556 |
товару немає в наявності |
||||||||
|
|
FS200R12N3T7BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 35-Pin Tray |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
FS200R12N3T7BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 35-Pin Tray |
товару немає в наявності |