FS200R12N3T7BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: LOW POWER ECONO AG-ECONO3-4
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO3B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 16 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 40.3 nF @ 25 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 12571.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS200R12N3T7BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS200R12N3T7BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 200 A, 1.55 V, 175 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V, Dauer-Kollektorstrom: 200A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EconoPACK 3 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Sechserpack, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 200A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції FS200R12N3T7BPSA1 за ціною від 10609.53 грн до 23046.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FS200R12N3T7BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A Tray |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FS200R12N3T7BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A Tray |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FS200R12N3T7BPSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FS200R12N3T7BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack, 200 A, 1.55 V, 175 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V Dauer-Kollektorstrom: 200A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EconoPACK 3 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Sechserpack productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 200A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| FS200R12N3T7BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules LOW POWER ECONO |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||
| FS200R12N3T7BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005337556 |
товар відсутній |
||||||||||
|
|
FS200R12N3T7BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A Tray |
товар відсутній |