FS200R12PT4BOSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - FS200R12PT4BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 280 A, 1.75 V, 1 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Dauer-Kollektorstrom: 280A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 1kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: EconoPACK 4
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 280A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 15239.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS200R12PT4BOSA1 INFINEON
Description: INFINEON - FS200R12PT4BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 280 A, 1.75 V, 1 kW, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, Dauer-Kollektorstrom: 280A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: 1kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1kW, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: EconoPACK 4, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 280A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції FS200R12PT4BOSA1 за ціною від 16299.98 грн до 22896.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FS200R12PT4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 280A 1000W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 280 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1000 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FS200R12PT4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 280A 1000W 20-Pin ECONO4-1 Tray |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FS200R12PT4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 280A 1000W 20-Pin ECONO4-1 Tray |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FS200R12PT4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 280A 1000W 20-Pin ECONO4-1 Tray |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FS200R12PT4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 280A 1000000mW Automotive 20-Pin ECONO4-1 Tray |
товар відсутній |
|||||||
|
|
FS200R12PT4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 280A 1000W 20-Pin ECONO4-1 Tray |
товар відсутній |