Технічний опис FS225R12KE3BOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 325A 1150W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Full Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @15V, 225A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 325 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 1150 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 16 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FS225R12KE3BOSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FS225R12KE3BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 325A 1150000mW Automotive Tray |
товару немає в наявності |
|
 |
FS225R12KE3BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 325A 1150W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Full Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @15V, 225A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 325 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1150 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 16 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
FS225R12KE3BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO |
товару немає в наявності |