FS25R12W1T4BOMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 45A 205W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 205 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.45 nF @ 25 V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2650.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS25R12W1T4BOMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS25R12W1T4BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 45 A, 1.85 V, 205 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, Dauer-Kollektorstrom: 45A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: 205W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 205W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EasyPACK, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 45A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції FS25R12W1T4BOMA1 за ціною від 1891.86 грн до 2821.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FS25R12W1T4BOMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FS25R12W1T4BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 45 A, 1.85 V, 205 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Dauer-Kollektorstrom: 45A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: 205W euEccn: NLR Verlustleistung: 205W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EasyPACK Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 45A Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FS25R12W1T4BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 45A 205000mW 18-Pin EASY1B-1 Tray |
товар відсутній |