Технічний опис FS28MR12W1M1HB11HPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS28MR12W1M1HB11HPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.0264 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: NO, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: NO, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 23Pin(s), Produktpalette: EasyPACK 1B CoolSiC Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0264ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції FS28MR12W1M1HB11HPSA1 за ціною від 8144.67 грн до 10029.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FS28MR12W1M1HB11HPSA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - FS28MR12W1M1HB11HPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.0264 ohm, ModultariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: NO Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 23Pin(s) Produktpalette: EasyPACK 1B CoolSiC Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0264ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
 |
FS28MR12W1M1HB11HPSA1 | Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET sixpack module 1200 V |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
| FS28MR12W1M1HB11HPSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 23-Pin Tray |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
| FS28MR12W1M1HB11HPSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 23-Pin Tray |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FS28MR12W1M1HB11HPSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS28MR12W1M1HB11HPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.0264 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 23Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK 1B CoolSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0264ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - FS28MR12W1M1HB11HPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.0264 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 23Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK 1B CoolSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0264ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FS28MR12W1M1HB11HPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET sixpack module 1200 V
Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET sixpack module 1200 V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FS28MR12W1M1HB11HPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 23-Pin Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 23-Pin Tray
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 8144.67 грн |
| FS28MR12W1M1HB11HPSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 23-Pin Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 23-Pin Tray
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 10029.86 грн |