Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FS33MR12W1M1HB11BPSA1
FS33MR12W1M1HB11BPSA1

FS33MR12W1M1HB11BPSA1 Infineon Technologies


Infineon-FS33MR12W1M1H_B11-DataSheet-v01_20-EN.pdf Виробник: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET sixpack module 1200 V
на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6587.77 грн
10+5820.77 грн
120+4674.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FS33MR12W1M1HB11BPSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FS33MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 23Pin(s), Produktpalette: EasyPACK 1B CoolSiC Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0323ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FS33MR12W1M1HB11BPSA1 за ціною від 5317.00 грн до 7075.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FS33MR12W1M1HB11BPSA1 FS33MR12W1M1HB11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FS33MR12W1M1H_B11-DataSheet-v00_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018b72945c707cc6 Description: MOSFET 1200V AG-EASY1B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Supplier Device Package: AG-EASY1B
Part Status: Active
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6814.01 грн
24+5317.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS33MR12W1M1HB11BPSA1 FS33MR12W1M1HB11BPSA1 Виробник : INFINEON 4068203.pdf Description: INFINEON - FS33MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 23Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK 1B CoolSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0323ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7075.27 грн
5+6708.83 грн
10+6342.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS33MR12W1M1HB11BPSA1 Виробник : Infineon Technologies fs33mr12w1m1h.pdf No lead time, DBP or DWin availability yet, part still in development
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.