Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FS33MR12W1M1HB70BPSA1
FS33MR12W1M1HB70BPSA1

FS33MR12W1M1HB70BPSA1 Infineon Technologies


Infineon-FS33MR12W1M1H_B70-DataSheet-v01_00-EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET Modules CoolSiC MOSFET sixpack module 1200 V
на замовлення 22 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6252.75 грн
10+5697.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FS33MR12W1M1HB70BPSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FS33MR12W1M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Modul, tariffCode: 85044095, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V, MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 23Pin(s), Produktpalette: EasyPACK Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0323ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції FS33MR12W1M1HB70BPSA1 за ціною від 6396.35 грн до 9859.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FS33MR12W1M1HB70BPSA1 FS33MR12W1M1HB70BPSA1 Виробник : Infineon Technologies FS33MR12W1M1H_B70_Rev0.20_8-16-23.pdf Description: EASY STANDARD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 6 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 25A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 10mA
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6396.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS33MR12W1M1HB70BPSA1 FS33MR12W1M1HB70BPSA1 Виробник : INFINEON FS33MR12W1M1H_B70_Rev0.20_8-16-23.pdf Description: INFINEON - FS33MR12W1M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Modul
tariffCode: 85044095
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 23Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0323ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9859.02 грн
5+9390.89 грн
10+8921.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.