Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FS35R12W1T4B11BOMA1
FS35R12W1T4B11BOMA1

FS35R12W1T4B11BOMA1 Infineon Technologies

Infineon-FS35R12W1T4_B11-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a30432ad629a6012af0f69b3e5df7
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 65A 225W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 225 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2316.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FS35R12W1T4B11BOMA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 65A 225W MOD, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 65 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 225 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V.

Інші пропозиції FS35R12W1T4B11BOMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FS35R12W1T4B11BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS35R12W1T4_B11-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a30432ad629a6012af0f69b3e5df7 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; AG-EASY1B-2; Inverter; 225W
Case: AG-EASY1B-2
Gate-emitter voltage: ±20V
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 225W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS35R12W1T4B11BOMA1 Infineon Technologies Infineon-FS35R12W1T4_B11-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a30432ad629a6012af0f69b3e5df7 Trans IGBT Module N-CH 1200V 65A 225000mW 21-Pin EASY1B-2 Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS35R12W1T4B11BOMA1 Infineon-FS35R12W1T4_B11-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a30432ad629a6012af0f69b3e5df7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; AG-EASY1B-2; Inverter; 225W
Case: AG-EASY1B-2
Gate-emitter voltage: ±20V
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 225W
Technology: Field Stop; Trench
Application: Inverter
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS35R12W1T4B11BOMA1 Infineon-FS35R12W1T4_B11-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a30432ad629a6012af0f69b3e5df7
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 65A 225000mW 21-Pin EASY1B-2 Tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.