FS3L30R07W2H3FB11BPSA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 650V 30A 20MW
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS3L30R07W2H3FB11BPSA2 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 650V 30A 20MW, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Power - Max: 20 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Part Status: Active, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: Module, NTC Thermistor: Yes, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Configuration: Three Phase Inverter, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Tray.
Інші пропозиції FS3L30R07W2H3FB11BPSA2 за ціною від 6220.16 грн до 6813.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FS3L30R07W2H3FB11BPSA2 | Infineon Technologies |
IGBT Modules 650 V, 30 A 3-level IGBT module |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||
|
|
FS3L30R07W2H3FB11BPSA2 | Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 650V 30A 20MW Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FS3L30R07W2H3FB11BPSA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules 650 V, 30 A 3-level IGBT module
IGBT Modules 650 V, 30 A 3-level IGBT module
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6561.93 грн |
| 10+ | 6220.16 грн |
| FS3L30R07W2H3FB11BPSA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 650V 30A 20MW
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V
Description: IGBT MOD 650V 30A 20MW
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 6813.44 грн |