FS450R12OE4BOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 660A 2250W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 660 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 2250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 28701.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS450R12OE4BOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS450R12OE4BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 660 A, 1.75 V, 2.25 kW, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, Dauer-Kollektorstrom: 660A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: 2.25kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.25kW, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EconoPACK, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 660A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FS450R12OE4BOSA1 за ціною від 30805.25 грн до 30805.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FS450R12OE4BOSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FS450R12OE4BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 660 A, 1.75 V, 2.25 kW, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V Dauer-Kollektorstrom: 660A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 2.25kW euEccn: NLR Verlustleistung: 2.25kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EconoPACK Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 660A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FS450R12OE4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 660A 2250000mW Automotive 29-Pin ECONOPP-2 Tray |
товару немає в наявності |