
FS50R07N2E4B11BOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MODULE 650V 70A 190W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 190 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.1 nF @ 25 V
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 3977.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS50R07N2E4B11BOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 650V 70A 190W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 70 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 190 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.1 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FS50R07N2E4B11BOSA1 за ціною від 4338.52 грн до 4338.52 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FS50R07N2E4B11BOSA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
![]() |
FS50R07N2E4B11BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |