FS50R07W1E3B11ABOMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULES
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 205 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.1 nF @ 25 V
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3147.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS50R07W1E3B11ABOMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS50R07W1E3B11ABOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 70 A, 1.45 V, 205 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, Dauer-Kollektorstrom: 70A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V, Verlustleistung Pd: 205W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 205W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Produktpalette: EasyPACK, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 70A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FS50R07W1E3B11ABOMA1 за ціною від 3341.58 грн до 3759.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FS50R07W1E3B11ABOMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FS50R07W1E3B11ABOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 70 A, 1.45 V, 205 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 70A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 205W euEccn: NLR Verlustleistung: 205W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Produktpalette: EasyPACK Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 70A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FS50R07W1E3B11ABOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 650V 70A 205000mW Automotive 21-Pin EASY1B-3 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
FS50R07W1E3B11ABOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 650V 70A 205W Automotive 21-Pin EASY1B-3 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
FS50R07W1E3B11ABOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules N |
товару немає в наявності |