FS50R12KE3  EUPEC IGBT


Виробник: EUPEC IGBT
50a1200v
на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FS50R12KE3  EUPEC IGBT

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: transistor/transistor, Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 50A, Case: AG-ECONO2-6, Application: Inverter, Electrical mounting: Press-in PCB, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 100A, Power dissipation: 270W, Technology: EconoPACK™ 2, Mechanical mounting: screw.

Інші пропозиції FS50R12KE3 

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FS50R12KE3
Код товару: 30481
Транзистори > IGBT
товар відсутній
FS50R12KE3 FS50R12KE3 Виробник : Infineon Technologies db_fs50r12ke3.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 270000mW 28-Pin ECONO2-6 Tray
товар відсутній
FS50R12KE3 FS50R12KE3 Виробник : Infineon Technologies Infineon_FS50R12KE3_DS_v03_00_en_de-3078061.pdf IGBT Modules 1200V 50A 3-PHASE
товар відсутній
FS50R12KE3 FS50R12KE3 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES FS50R12KE3-dte.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Case: AG-ECONO2-6
Application: Inverter
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Power dissipation: 270W
Technology: EconoPACK™ 2
Mechanical mounting: screw
товар відсутній