Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FS50R12KE3BOSA1 за ціною від 5519.28 грн до 8107.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FS50R12KE3BOSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 75A 270W MODPackaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: NPT Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 270 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.5 nF @ 25 V |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
FS50R12KE3BOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 270W 28-Pin ECONO2-6 Tray |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
FS50R12KE3BOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 270W 28-Pin ECONO2-6 Tray |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
FS50R12KE3BOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FS50R12KE3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 75 A, 1.7 V, 270 W, 150 °C, ModuleIGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7 Dauer-Kollektorstrom: 75 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7 Verlustleistung Pd: 270 Verlustleistung: 270 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: EconoPACK 2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] DC-Kollektorstrom: 75 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FS50R12KE3BOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 75A 270W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 270 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.5 nF @ 25 V
Description: IGBT MOD 1200V 75A 270W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 270 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.5 nF @ 25 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 5519.28 грн |
| FS50R12KE3BOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 270W 28-Pin ECONO2-6 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 270W 28-Pin ECONO2-6 Tray
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 8107.76 грн |
| FS50R12KE3BOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 270W 28-Pin ECONO2-6 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 270W 28-Pin ECONO2-6 Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 8107.76 грн |
| FS50R12KE3BOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS50R12KE3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 75 A, 1.7 V, 270 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 75
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 270
Verlustleistung: 270
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: EconoPACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
DC-Kollektorstrom: 75
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - FS50R12KE3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 75 A, 1.7 V, 270 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 75
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 270
Verlustleistung: 270
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: EconoPACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
DC-Kollektorstrom: 75
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





