Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FS50R12KT4B11BOSA1
FS50R12KT4B11BOSA1

FS50R12KT4B11BOSA1 Infineon Technologies

Infineon-FS50R12KT4_B11-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30431a47d73d011a49630da90121
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 50A 280W MOD
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 280 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Configuration: Full Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+5419.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FS50R12KT4B11BOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 50A 280W MOD, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Power - Max: 280 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: Module, NTC Thermistor: Yes, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Configuration: Full Bridge, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції FS50R12KT4B11BOSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність _PRICE_WITHOUT_VAT
FS50R12KT4B11BOSA1 FS50R12KT4B11BOSA1 Infineon Technologies Infineon-FS50R12KT4_B11-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30431a47d73d011a49630da90121 Description: IGBT MOD 1200V 50A 280W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 280 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R12KT4B11BOSA1 Infineon-FS50R12KT4_B11-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30431a47d73d011a49630da90121
FS50R12KT4B11BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 50A 280W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 280 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.