
FS50R12KT4B11BOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 50A 280W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 280 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 4922.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS50R12KT4B11BOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 50A 280W, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Full Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 280 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FS50R12KT4B11BOSA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
FS50R12KT4B11BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
FS50R12KT4B11BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
FS50R12KT4B11BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Full Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 280 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |