FS50R12KT4B11BOSA1

FS50R12KT4B11BOSA1 Infineon Technologies


Infineon-FS50R12KT4_B11-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30431a47d73d011a49630da90121 Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 50A 280W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 280 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
на замовлення 83 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+4922.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FS50R12KT4B11BOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 50A 280W, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Full Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 280 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V.

Інші пропозиції FS50R12KT4B11BOSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FS50R12KT4B11BOSA1 FS50R12KT4B11BOSA1 Виробник : Infineon Technologies 9302ds_fs50r12kt4_b11_3_0_de-en.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280000mW 25-Pin ECONO2-6 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R12KT4B11BOSA1 FS50R12KT4B11BOSA1 Виробник : Infineon Technologies 9302ds_fs50r12kt4_b11_3_0_de-en.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280W 25-Pin ECONO2-6 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R12KT4B11BOSA1 FS50R12KT4B11BOSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FS50R12KT4_B11-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30431a47d73d011a49630da90121 Description: IGBT MOD 1200V 50A 280W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 280 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.