FS50R12KT4B11BOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 50A 280W MOD
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Power - Max: 280 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Configuration: Full Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS50R12KT4B11BOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 50A 280W MOD, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Power - Max: 280 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: Module, NTC Thermistor: Yes, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Configuration: Full Bridge, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції FS50R12KT4B11BOSA1 за ціною від 7618.63 грн до 7618.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FS50R12KT4B11BOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280W 25-Pin ECONO2-6 Tray |
на замовлення 83 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FS50R12KT4B11BOSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280W 25-Pin ECONO2-6 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280W 25-Pin ECONO2-6 Tray
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 7618.63 грн |