FS50R12W1T7B11BOMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - FS50R12W1T7B11BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 50 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Dauer-Kollektorstrom: 50A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EasyPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2358.66 грн |
| 5+ | 2353.71 грн |
| 10+ | 2348.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS50R12W1T7B11BOMA1 INFINEON
Description: INFINEON - FS50R12W1T7B11BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 50 A, 1.5 V, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, Dauer-Kollektorstrom: 50A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EasyPACK, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 50A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FS50R12W1T7B11BOMA1 за ціною від 2087.13 грн до 4036.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FS50R12W1T7B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 15-Pin Tray |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FS50R12W1T7B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules 1200 V, 50 A sixpack IGBT module |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FS50R12W1T7B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE LOW POWER EASY Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 7.9 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.1 nF @ 25 V |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FS50R12W1T7B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 15-Pin Tray |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FS50R12W1T7B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 15-Pin Tray |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FS50R12W1T7B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 15-Pin Tray |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
|
|
FS50R12W1T7B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 15-Pin Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
FS50R12W1T7B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 15-Pin Tray |
товару немає в наявності |