Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FS50R12W1T7B11BOMA1
FS50R12W1T7B11BOMA1

FS50R12W1T7B11BOMA1 Infineon Technologies

Infineon-FS50R12W1T7_B11-DataSheet-v02_00-JA.pdf
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules 1200 V, 50 A sixpack IGBT module
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2725.09 грн
10+2134.99 грн
120+1628.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FS50R12W1T7B11BOMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FS50R12W1T7B11BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 50 A, 1.5 V, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 50A, Produktpalette: EasyPACK, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 50A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FS50R12W1T7B11BOMA1 за ціною від 2372.99 грн до 3462.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FS50R12W1T7B11BOMA1 FS50R12W1T7B11BOMA1 INFINEON 2883915.pdf Description: INFINEON - FS50R12W1T7B11BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 50 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 50A
Produktpalette: EasyPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3044.14 грн
5+2732.49 грн
10+2420.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R12W1T7B11BOMA1 FS50R12W1T7B11BOMA1 Infineon Technologies Infineon-FS50R12W1T7_B11-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f18717047301 Description: IGBT MODULE LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 7.9 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.1 nF @ 25 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3462.72 грн
24+2372.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R12W1T7B11BOMA1 2883915.pdf
FS50R12W1T7B11BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS50R12W1T7B11BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 50 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 50A
Produktpalette: EasyPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+3044.14 грн
5+2732.49 грн
10+2420.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R12W1T7B11BOMA1 Infineon-FS50R12W1T7_B11-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f18717047301
FS50R12W1T7B11BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 7.9 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.1 nF @ 25 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+3462.72 грн
24+2372.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.