Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FS50R12W1T7B11BOMA1
FS50R12W1T7B11BOMA1

FS50R12W1T7B11BOMA1 Infineon Technologies

infineonfs50r12w1t7b11datasheeten.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 15-Pin Tray
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2368.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FS50R12W1T7B11BOMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FS50R12W1T7B11BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 50 A, 1.5 V, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V, Verlustleistung Pd: -, Verlustleistung: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 50A, Produktpalette: EasyPACK, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 50A, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції FS50R12W1T7B11BOMA1 за ціною від 1492.21 грн до 3909.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FS50R12W1T7B11BOMA1 FS50R12W1T7B11BOMA1 Infineon Technologies Infineon-FS50R12W1T7_B11-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f18717047301 Description: IGBT MODULE LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 7.9 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.1 nF @ 25 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3391.56 грн
24+2324.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R12W1T7B11BOMA1 FS50R12W1T7B11BOMA1 Infineon Technologies infineonfs50r12w1t7b11datasheeten.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 15-Pin Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+3569.19 грн
10+1492.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R12W1T7B11BOMA1 FS50R12W1T7B11BOMA1 Infineon Technologies infineonfs50r12w1t7b11datasheeten.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 15-Pin Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3909.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R12W1T7B11BOMA1 FS50R12W1T7B11BOMA1 Infineon Technologies Infineon-FS50R12W1T7_B11-DataSheet-v02_00-JA.pdf IGBT Modules 1200 V, 50 A sixpack IGBT module
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R12W1T7B11BOMA1 FS50R12W1T7B11BOMA1 INFINEON Infineon-FS50R12W1T7_B11-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f18717047301 Description: INFINEON - FS50R12W1T7B11BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 50 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 50A
Produktpalette: EasyPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R12W1T7B11BOMA1 FS50R12W1T7B11BOMA1 Infineon Technologies infineonfs50r12w1t7b11datasheeten.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 15-Pin Tray
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R12W1T7B11BOMA1 Infineon-FS50R12W1T7_B11-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f18717047301
FS50R12W1T7B11BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 7.9 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.1 nF @ 25 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3391.56 грн
24+2324.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R12W1T7B11BOMA1 infineonfs50r12w1t7b11datasheeten.pdf
FS50R12W1T7B11BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 15-Pin Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+3569.19 грн
10+1492.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R12W1T7B11BOMA1 infineonfs50r12w1t7b11datasheeten.pdf
FS50R12W1T7B11BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 15-Pin Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+3909.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R12W1T7B11BOMA1 Infineon-FS50R12W1T7_B11-DataSheet-v02_00-JA.pdf
FS50R12W1T7B11BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules 1200 V, 50 A sixpack IGBT module
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R12W1T7B11BOMA1 Infineon-FS50R12W1T7_B11-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170f18717047301
FS50R12W1T7B11BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS50R12W1T7B11BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 50 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 50A
Produktpalette: EasyPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R12W1T7B11BOMA1 infineonfs50r12w1t7b11datasheeten.pdf
FS50R12W1T7B11BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 15-Pin Tray
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.