FS50R12W1T7BOMA1 Infineon Technologies
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3446.06 грн |
| 10+ | 2755.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS50R12W1T7BOMA1 Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY AG-EASY1B-1, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: AG-EASY1B, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 20 mW, Current - Collector Cutoff (Max): 7.9 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.1 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FS50R12W1T7BOMA1 за ціною від 2457.29 грн до 3616.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FS50R12W1T7BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: LOW POWER EASY AG-EASY1B-1Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY1B IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 7.9 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.1 nF @ 25 V |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| FS50R12W1T7BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
H8 154R 0.1% 50PPM |
товару немає в наявності |
||||||||
| FS50R12W1T7BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Module Trench Field Stop |
товару немає в наявності |
||||||||
| FS50R12W1T7BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Module Trench Field Stop |
товару немає в наявності |