FS55MR12W1M1HB11NPSA1 Infineon Technologies
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4926.86 грн |
| 10+ | 3782.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS55MR12W1M1HB11NPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS55MR12W1M1HB11NPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 15 A, 1.2 kV, 0.0529 ohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 23Pin(s), Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0529ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FS55MR12W1M1HB11NPSA1 за ціною від 3756.92 грн до 5480.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FS55MR12W1M1HB11NPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 15A 23-Pin Tray |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FS55MR12W1M1HB11NPSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FS55MR12W1M1HB11NPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 15 A, 1.2 kV, 0.0529 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 23Pin(s) Produktpalette: EasyPACK CoolsiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 125°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0529ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FS55MR12W1M1HB11NPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 6N-CH 1200V 15A AG-EASY1B Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 6 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 15A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 6mA Supplier Device Package: AG-EASY1B Part Status: Active |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| FS55MR12W1M1HB11NPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
New Easy module CoolSiCTM MOSFET |
на замовлення 258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
|
|
FS55MR12W1M1HB11NPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 15A 23-Pin Tray |
товару немає в наявності |