FS650R08A4P2BPSA1

FS650R08A4P2BPSA1 Infineon Technologies


Infineon-FS650R08A4P2-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351f435eb5977 Виробник: Infineon Technologies
Description: HYBRID PACK 1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-HYBDC6I-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 375 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 65 nF @ 50 V
на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+25601.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FS650R08A4P2BPSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FS650R08A4P2BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 375 A, 1.10 V, 488 W, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT EDT2 [Trench/Feldstop], hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.10V, Dauer-Kollektorstrom: 375A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, euEccn: NLR, Verlustleistung: 488W, Bauform - Transistor: Modul, Produktpalette: HybridPACK, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції FS650R08A4P2BPSA1 за ціною від 30002.38 грн до 32343.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FS650R08A4P2BPSA1 FS650R08A4P2BPSA1 Виробник : INFINEON Infineon-FS650R08A4P2-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351f435eb5977 Description: INFINEON - FS650R08A4P2BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 375 A, 1.10 V, 488 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT EDT2 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.10V
Dauer-Kollektorstrom: 375A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 488W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: HybridPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+30030.44 грн
5+30002.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS650R08A4P2BPSA1 FS650R08A4P2BPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_FS650R08A4P2_DataSheet_v03_00_EN-1919580.pdf IGBT Modules HYBRID PACK 1
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+32343.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS650R08A4P2BPSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-fs650r08a4p2-datasheet-v03_00-en.pdf SP001714512
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.