на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 24388.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS650R08A4P2BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS650R08A4P2BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 375 A, 1.10 V, 488 W, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT EDT2 [Trench/Feldstop], hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.10V, Dauer-Kollektorstrom: 375A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, euEccn: NLR, Verlustleistung: 488W, Bauform - Transistor: Modul, Produktpalette: HybridPACK, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції FS650R08A4P2BPSA1 за ціною від 26449.07 грн до 31025.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FS650R08A4P2BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: HYBRID PACK 1Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 375A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-HYBDC6I-1 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 375 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 65 nF @ 50 V |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
FS650R08A4P2BPSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FS650R08A4P2BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 375 A, 1.10 V, 488 W, 175 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT EDT2 [Trench/Feldstop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.10V Dauer-Kollektorstrom: 375A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 488W Bauform - Transistor: Modul Produktpalette: HybridPACK Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| FS650R08A4P2BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP001714512 |
товару немає в наявності |
||||||||
|
FS650R08A4P2BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Module with EDT2 IGBT and Diode |
товару немає в наявності |



