FS660R08A6P2FBBPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: HYBRID PACK DRIVE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-HYBRIDD-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Power - Max: 1053 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 80 nF @ 50 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 24362.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS660R08A6P2FBBPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS660R08A6P2FBBPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 450 A, 1.1 V, 1.053 kW, 175 °C, Modul, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT EDT2 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V, Dauer-Kollektorstrom: 450A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.1V, Verlustleistung Pd: 1.053kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.053kW, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750V, Produktpalette: HybridPACK, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 450A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції FS660R08A6P2FBBPSA1 за ціною від 28783.77 грн до 30093.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FS660R08A6P2FBBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules HYBRID PACK DRIVE G1 SI |
на замовлення 12 шт: термін постачання 203-212 дні (днів) |
|
||||||
 |
FS660R08A6P2FBBPSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FS660R08A6P2FBBPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 450 A, 1.1 V, 1.053 kW, 175 °C, Modul tariffCode: 85413000 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT EDT2 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V Dauer-Kollektorstrom: 450A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.1V Verlustleistung Pd: 1.053kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.053kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750V Produktpalette: HybridPACK Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 450A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FS660R08A6P2FBBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 750V 450A 1053W Automotive AEC-Q101 33-Pin HYBRIDD-1 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
FS660R08A6P2FBBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 750V 450A 1053000mW Automotive 33-Pin HYBRIDD-1 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
FS660R08A6P2FBBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 750V 450A 1053W Automotive AEC-Q101 33-Pin HYBRIDD-1 Tray |
товару немає в наявності |