Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FS660R08A6P2FLBBPSA1
FS660R08A6P2FLBBPSA1

FS660R08A6P2FLBBPSA1 Infineon Technologies


Infineon_FS660R08A6P2FLB_DataSheet_v03_00_EN-1622478.pdf Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules HYBRID PACK DRIVE G1 SI
на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+30784.82 грн
12+ 29368.78 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FS660R08A6P2FLBBPSA1 Infineon Technologies

Description: HYBRID PACK DRIVE, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 450A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: AG-HYBRIDD-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 450 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V, Power - Max: 1053 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 80 nF @ 50 V.

Інші пропозиції FS660R08A6P2FLBBPSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FS660R08A6P2FLBBPSA1 FS660R08A6P2FLBBPSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-fs660r08a6p2flb-datasheet-v03_00-en.pdf Trans IGBT Module N-CH 750V 450A 1053000mW Automotive 33-Pin HYBRIDD-1 Tray
товар відсутній
FS660R08A6P2FLBBPSA1 FS660R08A6P2FLBBPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FS660R08A6P2FLB-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a793d42f35736 Description: HYBRID PACK DRIVE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-HYBRIDD-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Power - Max: 1053 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 80 nF @ 50 V
товар відсутній