FS75R12KE3GBOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 100A 355W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 355 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.3 nF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6730.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS75R12KE3GBOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS75R12KE3GBOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.7 V, 355 W, 125 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 100A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 355W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 355W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EconoPACK 3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 100A, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FS75R12KE3GBOSA1 за ціною від 7681.74 грн до 11631.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FS75R12KE3GBOSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FS75R12KE3GBOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.7 V, 355 W, 125 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 100A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 355W euEccn: NLR Verlustleistung: 355W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EconoPACK 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 100A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FS75R12KE3GBOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 355W 35-Pin ECONO3-4 Tray |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FS75R12KE3GBOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 355W 35-Pin ECONO3-4 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
FS75R12KE3GBOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 355000mW 35-Pin ECONO3-4 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
FS75R12KE3GBOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 100A 355W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 355 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.3 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
FS75R12KE3GBOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules LOW POWER ECONO |
товару немає в наявності |