Продукція > INFINEON > FS75R12KT3BPSA1
FS75R12KT3BPSA1

FS75R12KT3BPSA1 INFINEON


2255591.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS75R12KT3BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 105 A, 1.7 V, 355 W, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 105A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 355W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 355W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 105A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+9840.66 грн
5+ 9200.47 грн
10+ 8560.28 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FS75R12KT3BPSA1 INFINEON

Description: INFINEON - FS75R12KT3BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 105 A, 1.7 V, 355 W, 125 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 105A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 355W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 355W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EconoPACK 2, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 105A, Betriebstemperatur, max.: 125°C.

Інші пропозиції FS75R12KT3BPSA1 за ціною від 9253.09 грн до 11908.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FS75R12KT3BPSA1 FS75R12KT3BPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FS75R12KT3-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b431b38f5537 Description: LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-311
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 105 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 355 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.3 nF @ 25 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+10963.92 грн
FS75R12KT3BPSA1 FS75R12KT3BPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_FS75R12KT3_DataSheet_v02_01_EN-3361908.pdf IGBT Modules LOW POWER ECONO
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+11908.02 грн
10+ 10994.27 грн
30+ 9253.09 грн
FS75R12KT3BPSA1 Виробник : Infineon Technologies 51db_fs75r12kt3.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fileiddb.pdf SP005422402
товар відсутній
FS75R12KT3BPSA1 FS75R12KT3BPSA1 Виробник : Infineon Technologies 51db_fs75r12kt3.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3fileiddb.pdf IGBT Module and Emitter Controlled High Efficiency Diode
товар відсутній