Продукція > INFINEON > FS75R17KE3BOSA1
FS75R17KE3BOSA1

FS75R17KE3BOSA1 INFINEON

Infineon-FS75R17KE3-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fe90e4e40
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS75R17KE3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 130 A, 2 V, 465 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 465W
Verlustleistung: 465W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 130A
Anzahl der Pins: 35Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 130A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+7996.83 грн
5+7309.39 грн
10+6621.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FS75R17KE3BOSA1 INFINEON

Description: INFINEON - FS75R17KE3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 130 A, 2 V, 465 W, 125 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V, Verlustleistung Pd: 465W, Verlustleistung: 465W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Dauerkollektorstrom: 130A, Anzahl der Pins: 35Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 130A, Betriebstemperatur, max.: 125°C.

Інші пропозиції FS75R17KE3BOSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FS75R17KE3BOSA1 FS75R17KE3BOSA1 Infineon Technologies Infineon-FS75R17KE3-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fe90e4e40 Description: IGBT MOD 1700V 130A 465W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 465 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.8 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R17KE3BOSA1 FS75R17KE3BOSA1 Infineon Technologies Infineon_FS75R17KE3_DS_v02_00_en_de-3359990.pdf IGBT Modules LOW POWER ECONO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R17KE3BOSA1 Infineon-FS75R17KE3-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fe90e4e40
FS75R17KE3BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1700V 130A 465W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 465 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.8 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R17KE3BOSA1 Infineon_FS75R17KE3_DS_v02_00_en_de-3359990.pdf
FS75R17KE3BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules LOW POWER ECONO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.