FS75R17KE3BOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1700V 130A 465W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 130 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 465 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.8 nF @ 25 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7202.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS75R17KE3BOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS75R17KE3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 130 A, 2 V, 465 W, 125 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, Dauer-Kollektorstrom: 130A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V, Verlustleistung Pd: 465W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 465W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Anzahl der Pins: 35Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 130A, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FS75R17KE3BOSA1 за ціною від 6382.92 грн до 13226.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FS75R17KE3BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 130A 465W 35-Pin ECONO3-4 Tray |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FS75R17KE3BOSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FS75R17KE3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 130 A, 2 V, 465 W, 125 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V Dauer-Kollektorstrom: 130A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V Verlustleistung Pd: 465W euEccn: NLR Verlustleistung: 465W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Anzahl der Pins: 35Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 130A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FS75R17KE3BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 130A 465W 35-Pin ECONO3-4 Tray |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FS75R17KE3BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 130A 465W 35-Pin ECONO3-4 Tray |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FS75R17KE3BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 130A 465W 35-Pin ECONO3-4 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
FS75R17KE3BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 130A 465000mW 35-Pin ECONO3-4 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
FS75R17KE3BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 130A 465W 35-Pin ECONO3-4 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||
| FS75R17KE3BOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; Ic: 75A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge x3; NTC thermistor Max. off-state voltage: 1.7kV Collector current: 75A Case: AG-ECONO3-4 Application: Inverter Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Power dissipation: 465W Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 10 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
 |
FS75R17KE3BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules LOW POWER ECONO |
товару немає в наявності |
|||||||||
| FS75R17KE3BOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; Ic: 75A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge x3; NTC thermistor Max. off-state voltage: 1.7kV Collector current: 75A Case: AG-ECONO3-4 Application: Inverter Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Power dissipation: 465W Mechanical mounting: screw |
товару немає в наявності |