FS75R17W2E4PB11BPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY2B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 35 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.8 nF @ 25 V
Description: LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY2B
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 35 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.8 nF @ 25 V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 5259.4 грн |
18+ | 4589.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS75R17W2E4PB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS75R17W2E4PB11BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 45 A, 1.95 V, 20 mW, 150 °C, Module, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V, Dauer-Kollektorstrom: 45A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20mW, Bauform - Transistor: Module, Produktpalette: EasyPACK Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції FS75R17W2E4PB11BPSA1 за ціною від 3787.37 грн до 5711.66 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FS75R17W2E4PB11BPSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FS75R17W2E4PB11BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 45 A, 1.95 V, 20 mW, 150 °C, Module tariffCode: 85411000 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V Dauer-Kollektorstrom: 45A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Module Produktpalette: EasyPACK Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FS75R17W2E4PB11BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies | IGBT Modules EASY STANDARD |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|