FS770R08A6P2LBBPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 750V 450A 654000mW Automotive 33-Pin HYBRIDD-1 Tray
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS770R08A6P2LBBPSA1 Infineon Technologies
Description: HYBRID PACK DRIVE, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 450A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: AG-HYBRIDD-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 450 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V, Power - Max: 654 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 80 nF @ 50 V.
Інші пропозиції FS770R08A6P2LBBPSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FS770R08A6P2LBBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: HYBRID PACK DRIVE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 450A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-HYBRIDD-1 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 450 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V Power - Max: 654 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 80 nF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|
 |
FS770R08A6P2LBBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules HYBRID PACK DRIVE G1 SI |
товару немає в наявності |