FS900R08A2P2B32BOSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 81695.25 грн |
| 25+ | 79244.11 грн |
| 100+ | 76793.06 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS900R08A2P2B32BOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE PACK2 DRV HYBRID2-1, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 15V, 550A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: AG-HYBRID2-1, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 550 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V, Power - Max: 1546 W, Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 105 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FS900R08A2P2B32BOSA1 за ціною від 79244.11 грн до 81695.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FS900R08A2P2B32BOSA1 | Infineon Technologies |
 HybridPACK 2 IGBT Module Transistor |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FS900R08A2P2B32BOSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
HybridPACK 2 IGBT Module Transistor
HybridPACK 2 IGBT Module Transistor
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 81695.25 грн |
| 25+ | 79244.11 грн |