Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FS900R08A2P2B32BOSA1

FS900R08A2P2B32BOSA1 Infineon Technologies


infineonfs900r08a2p2b32dsv0300en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
HybridPACK 2 IGBT Module Transistor
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+81332.16 грн
25+78891.91 грн
100+76451.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FS900R08A2P2B32BOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MODULE PACK2 DRV HYBRID2-1, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 105 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA, Power - Max: 1546 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V, Current - Collector (Ic) (Max): 550 A, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: AG-HYBRID2-1, NTC Thermistor: Yes, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 15V, 550A, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Configuration: Three Phase Inverter, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Tray.

Інші пропозиції FS900R08A2P2B32BOSA1 за ціною від 78891.91 грн до 81332.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FS900R08A2P2B32BOSA1 FS900R08A2P2B32BOSA1 Infineon Technologies infineonfs900r08a2p2b32dsv0300en.pdf HybridPACK 2 IGBT Module Transistor
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+81332.16 грн
25+78891.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS900R08A2P2B32BOSA1 infineonfs900r08a2p2b32dsv0300en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
HybridPACK 2 IGBT Module Transistor
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+81332.16 грн
25+78891.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.