FS950R08A6P2LBBPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: HYBRID PACK DRIVE AG-HYBRIDD-1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 3 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-HYBRIDD-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Power - Max: 870 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 80 nF @ 50 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 25607.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS950R08A6P2LBBPSA1 Infineon Technologies
Description: HYBRID PACK DRIVE AG-HYBRIDD-1, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 3 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 450A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: AG-HYBRIDD-2, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 450 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V, Power - Max: 870 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 80 nF @ 50 V.
Інші пропозиції FS950R08A6P2LBBPSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| FS950R08A6P2LBBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Drive Module with EDT2 IGBT and Diode |
товару немає в наявності |
||
 |
FS950R08A6P2LBBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules HYBRID PACK DRIVE G1 SI |
товару немає в наявності |